Разработана новая технология быстрой печати транзисторов

Непознанное 6 июля, 2010

Все большее количество специалистов в области электроники приходят к тому мнению, что широкое и быстрое развитие нанотехнологий, приведет к скорой "смерти" существующую технологию метало-окисных полупроводников (complementary metal oxide semiconductor, CMOS). Правда, есть немало оппонентов этого мнения. Среди них доктор Ханс Сторк, который на состоявшемся недавно симпозиуме по нанотехнологиям (IEEE Nanotechnology Symposium) заявил о том, что технология CMOS еще длительное время останется основой электронной промышленности.В настоящее время по нынешней технологии CMOS в массовом масштабе изготавливаются чипы по технологии 32 нм, начинают уже появляться чипы, изготовленные по технологии 22 нм, а исследователи многих компаний стремятся к освоению технологии 16 нм. Однако этот процесс основан на дорогостоящем и медленном процессе литографии, возможности которого приближаются к своему пределу и для сохранения темпов дальнейшего развития электроники требуются новые технологии и новые материалы.

Последним достижением в развитии микроэлектроники стала разработка учеными из Института биоинженерии и нанотехнологий (Institute of Bioengineering and Nanotechnology, IBN, Сингапур) новой технологии производства дискретных полевых транзисторов, которая может стать более быстрой, более точной и более дешевой заменой процесса литографии. В новом процессе используются лучи, состоящие из потока электронов и ионов, с помощью которых на подложку, помещенных в среду со специально подобранным составом газов, наносятся элементы полупроводниковых структур. В своей статье, опубликованной в журнале Nanowerk, один из разработчиков новой технологии, Соментаз Рой (Somenath Roy), утверждает, что пока, новая технология лучше всего подходит для быстрого создания прототипов и моделей будущих электронных приборов, чем методы, основанные на литографии.
По его словам, новая одноступенчатая технология позволяет избежать длительного и трудоемкого процесса литографии, увеличивает точность изготовления, что положительно влияет на процент выхода готовых изделий. А более высокий уровень точности и более высокая производительность нового метода делают его идеальным решением для быстрого изготовления прототипов наноэлектронных приборов будущего. Последующая оптимизация технологии позволит вывести ее на уровень промышленного производства электронных схем наноуровня, сообщает dailytechinfo.org.

Структура транзистора. Фото dailytechinfo.org
Структура транзистора. Фото dailytechinfo.org

Источник: Подробности

x-files.org.ua




Комментирование закрыто.